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田中貴金属工業が新たなルテニウム成膜プロセスを確立

液体ルテニウムプリカーサーによる2段階成膜プロセスを確立

田中貴金属グループの田中貴金属工業株式会社は、液体ルテニウムプリカーサー「TRuST」による2段階成膜プロセスの確立を発表しました。

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2段階成膜により、酸素による基板酸化の懸念を払拭しつつ、水素成膜によって起こるルテニウムの純度低下を抑制することが可能となります。

注目が集まるルテニウムの利用

配線の低抵抗化や立体構造対応などが求められる最先端の半導体では、従来のアルミや銅、コバルトに加えてルテニウムの利用が注目されています。

これまでのルテニウムによる成膜は酸素による1段階成膜がこれまでの主流プロセスでしたが、今回、酸素と水素を用いた2段階のALD成膜プロセス(ALDAtomic Layer Deposition、原子層堆積)の確立に成功。

水素成膜によって下地の表面酸化のリスクを低減し、酸素成膜によってルテニウムの純度をほぼ100%に保つ高純度の成膜を行うことで、耐久性を向上しつつ従来以上の低抵抗値を実現しています。

これにより、さらなる技術革新が求められる半導体技術において微細化と耐久性向上に寄与し、データセンターやスマートフォンのみならずIoTや自動運転などの先進技術への貢献が期待されます。

(画像はプレスリリースより)

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